CoWoS Paketləşməsi İzahlı: CoWoS-S vs. CoWoS-R vs. CoWoS-L, HBM, İstehsal və AI Çipləri
2026-08-03 2241

CoWoS, ya da Chip-on-Wafer-on-Substrate, bir böyük paket içərisində məntiqi die-ləri, çiplətləri və yüksək bant genişliyi yaddaşı birləşdirir. Bu, hesablama və yaddaş arasında sürətli məlumat ötürməsini dəstəkləyən qısa, sıx əlaqələr təqdim edir. CoWoS-S geniş bir sahə üzrə sıx marşrutlama üçün böyük silikon interposer istifadə edir. CoWoS-R tam silikon interposer-i çox təbəqəli RDL ilə əvəz edir, CoWoS-L isə yalnız çox incə bağlantıların tələb olunduğu yerlərdə RDL marşrutlamasını kiçik silikon interkonnektlərlə birləşdirir. Hər versiya marşrutlama sıxlığı, paket ölçüsü, silikon istifadəsi, maliyyət və istehsal mürəkkəbliyi arasında fərqli tarazlıq təklif edir.

Kataloq

CoWoS Paketləşməsi Nədir və Necə İşləyir?

CoWoS, ya da Chip-on-Wafer-on-Substrate, bir və ya bir neçə məntiqi die və yüksək bant genişliyi yaddaşı (HBM) yığınlarını eyni paket içərisində yaxın yerləşdirən irəliləyən paketləşmə texnologiyasıdır. Bu, AI sürətləndiriciləri, yüksək performanslı hesablama prosessorları, şəbəkə çipləri və yüksək yaddaş bant genişliyi və sürətli die-to-die ünsiyyəti tələb edən digər sistemlər üçün geniş istifadə olunur.

Ayrı paketlər arasında uzun PCB izləri ilə siqnalları göndərmək əvəzinə, CoWoS silikon interposer, yenidən paylama təbəqəsi interposer və ya yerli silikon interkonnekt istifadə edərək məntiqi die ilə HBM arasında sıx elektrik əlaqələri yaradır. Bu daha qısa bağlantılar daha geniş yaddaş interfeyslərini, aşağı ünsiyyət gecikməsini və aşağı interkonnekt güc istehlakını dəstəkləyir.

İnteqrasiya quruluşu aşağıda paket substratına qoşulur. Substrat enerji və torpağı paylayır, xarici giriş və çıxış siqnallarını daşıyır və tam CoWoS montajını sistem PCB-nə qoşur.

Əsas prosesordan yaddaşa məlumat yolu budur:

HBM ↔ interposer, RDL, ya da LSI ↔ məntiqi die

Paket-sistem bağlantısı ayrı bir yoldan keçir:

Məntiqi die və interkonnekt quruluşu → paket substratı → PCB

Məntiqi Die-lərin, HBM-in və Paket Substratının Necə Qoşulduğu

Məntiqi die əsas hesablama işini yerinə yetirir, HBM yığınları isə minlərlə yaxın məsafədəki siqnal bağlantıları ilə yüksək kapasiteli yaddaş təqdim edir. CoWoS arxitekturasından asılı olaraq, onlar arasındakı ünsiyyət tam silikon interposer, böyük RDL interposer və ya yalnız çox sıx marşrutlama tələb olunduğu yerlərdə yerləşdirilmiş yerli silikon interkonnektlər vasitəsilə yönləndirilir.

Paket substratı CoWoS paketini PCB-yə bağlayır və enerji, torpaq, nəzarət siqnalları və xarici I/O daşıyır.

Paket Element	Əsas Funksiya	Əsas CoWoS İstifadəsi
Məntiqi die	AI, HPC, şəbəkə və ya ümumi hesablama işləməsini yerinə yetirir	Bütün CoWoS arxitekturaları
HBM yığını	Prosessora yaxın, yüksək tutumlu, yüksək genişlikli yaddaş təqdim edir	AI və HPC paketləri
Silikon arakəsmə	Geniş aktiv sahədə sıx marşrutlaşdırma təmin edir	Əsasən CoWoS-S
RDL arakəsməsi	Tam silikon arakəsməsi olmadan daha geniş sahədə siqnal və enerji marşrutlaşmasını təmin edir	CoWoS-R və CoWoS-L
Yerli Silikon İnterkonnekt	Seçilmiş sıx interfeyslərdə silikon səviyyəsində marşrutlaşdırma təqdim edir	CoWoS-L
Paket substratı	CoWoS yığımını sistem enerjisi, yer, I/O və PCB-yə qoşur	Bütün CoWoS arxitekturaları

CoWoS-un AI, HPC və HBM üçün istifadəsi

Şəkil 2. Bir neçə HBM yığını ilə AI Prosessoru

AI sürətləndiriciləri və HPC prosessorları hesablama çipləri ilə yaddaş arasında böyük miqdarda məlumatı daşınmalıdır. HBM bu genişliyi çox geniş interfeys vasitəsilə təmin edir, lakin minlərlə sıx şəkildə yerləşdirilmiş əlaqələr tələb edir. CoWoS HBM yığınlarını loqika çipi ilə yanaşı yerləşdirir və bu əlaqələri qısa saxlamaq üçün sıx paket səviyyəsində marşrutlaşdırmadan istifadə edir.

Bu düzülüş siqnal gecikməsini, bağlantı gücü itgisini və prosessorla yaddaşın ayrı paketlərdə yerləşdirilməsi halında baş verəcək marşrutlaşdırma çətinliyini azaltmağa kömək edir. Bu həmçinin bir neçə HBM yığınının paralel işləməsinə imkan verir, prosessora adətən xarici yaddaş bağlantılarından daha yüksək yaddaş genişliyi verir.

CoWoS, bir dizayn böyük loqika çipləri, bir neçə çiplet və ya bir neçə HBM yığını ehtiva edəndə də faydalıdır. Ənənəvi bir paket bu komponentlər üçün kifayət qədər marşrutlaşdırma sıxlığı və istifadə edilə bilən paket sahəsi təqdim etməyə bilər. CoWoS, çiplər arasında incə məsafəli əlaqələri saxlayarkən daha böyük inteqrasiya platforması yaradır.

Praktiki sistemlərdə, CoWoS, prosessorun çox yüksək yaddaş genişliyi, hesablamanın çipinə yaxın bir neçə HBM yığını, qısa və geniş çipdən çipə bağlantılar, böyük çiplər və ya bir neçə çiplet dəstəyi və paketdən paketə marşrutlaşdırma ilə müqayisədə daha az bağlantı gücü tələb olunduqda seçilir.

Əsas fayda, yalnız bir paketdə daha çox çip yerləşdirmək deyil. CoWoS, güclü AI və HPC prosessorlarına davamlı olaraq məlumat təmin etmək üçün lazım olan sıx interkonnekt strukturu təqdim edir.

CoWoS-S vs. CoWoS-R vs. CoWoS-L

Şəkil 3. CoWoS-S vs CoWoS-R vs CoWoS-L

CoWoS-S, CoWoS-R və CoWoS-L loqika çiplərini, HBM yığınlarını və paket substratını birləşdirmək üçün fərqli interkonnekt strukturlarından istifadə edir. Əsas fərq, nə qədər silikon istifadə olunduğu və ən yüksək marşrutlaşdırma sıxlığının harada yerləşdirildiyidir.

Müqayisə Faktoru	CoWoS-S	CoWoS-R	CoWoS-L
Əsas interkonnekt strukturu	Böyük silikon arakəsmə	Çox qatlı RDL arakəsməsi	Lokalizasiya edilmiş silikon körpüləri olan RDL arakəsməsi
Marşrutlaşdırma sıxlığı	Geniş aktiv sahədə çox yüksək	Silikondan aşağı, lakin geniş paket səviyyəsində marşrutlaşdırma üçün uyğundur	Seçilmiş interfeyslərdə çox yüksək
Silikon istifadəsi	Aktiv çiplərin altında geniş silikon sahəsi istifadə edir	Tam silikon arakəsməsinə ehtiyac yoxdur	İnce məsafəli marşrutlaşdırma tələb olunduqda yalnız silikondan istifadə edir
TSV istifadəsi	TSV-lər silikon arakəsməsi vasitəsilə şaquli bağlantılar təqdim edir	Böyük TSV-əsas arakəsməyə etibar etmir	Lokalizasiya edilmiş silikon interkonnekt strukturları ilə RDL marşrutlaşdırmasından istifadə edir
Paket genişlənməsi	Böyük arakəsmə istehsal çətinliyi, ölçüsü və məhsuldarlığı ilə məhdudlaşmışdır	Daha geniş RDL-əsas paket sahələrini dəstəkləyir	Sıx yerli interfeysləri saxlayarkən böyük paketləri dəstəkləyir
Mexaniki davranış	Diqqət tələb edən daha möhkəm silikon strukturu, stres və deformasiyanın dəqiq idarəsi lazımdır	Daha uyğun polimer-RDL strukturu	RDL uyğunluğunu lokalizasiya edilmiş silikon bölgələri ilə birləşdirir
Əsas üstünlük	Geniş silikon səviyyəli marşrutlaşdırma sıxlığı təqdim edir	Daha az silikondan istifadə edərək geniş sahə marşrutlaşdırması təqdim edir	Böyük paket ölçüsünü yüksək yerli marşrutlaşdırma sıxlığı ilə balanslaşdırır
Əsas məhdudiyyət	Yüksək qiymət, silikon sahəsi, istehsal çətinliyi və məhsuldarlıq riski	Silikon arakəsmələrindən daha aşağı marşrutlaşdırma sıxlığı	RDL və yerli silikon interkonnektlərinin daha mürəkkəb inteqrasiyası
Ən yaxşı uyğunluq	Geniş paket sahəsi boyunca sıx loqika-HBM marşrutlaşdırması	RDL marşrutlaşdırma sıxlığının kifayət qədər olduğu böyük paketlər	Böyük AI və HPC paketləri yalnız seçilmiş interfeyslərdə sıx yönləndirmə tələb edir

CoWoS-S

CoWoS-S, məntiq çiplərinin və HBM yığınlarının altında silikon interposer istifadə edir. İnterposer içindəki incə metal qatları çiplər arasında üfüqi bağlantılar təmin edir.

TSV-lər silikon interposer vasitəsilə şaquli olaraq keçir və onun üst tərəf yönləndirilməsini altında olan qabarıqlara qoşur. Bu şaquli yollar gücü, torpağı və xarici siqnalları paket substratına doğru daşıyır.

İnerposer silikon materialından hazırlandığı üçün, polimer əsaslı RDL strukturu ilə müqayisədə daha incə wiring dəstəkləyə bilir. Əsas çətinlik odur ki, böyük interposer daha çox silikon sahəsi tələb edir və istehsal defektlərinə daha geniş bir səthi açır. Buna görə, interposer ölçüsü qiymətə, məhsuldarlığa və paket deformasiyaına təsir göstərə bilər.

CoWoS-R

CoWoS-R tam silikon interposer-i çoxqatlı RDL strukturu ilə əvəz edir. Mis izləri, paket boyunca siqnalları, gücü və torpağı daşımaq üçün polimer dielektrik qatları arasında naxışlıdır.

RDL yönləndirməsi böyük bir silikon plitə vasitəsilə TSV tələb etmir. Şaquli bağlantılar RDL qatları arasında və çiplər və paket substratı ilə qabarıqlar arasında vasitələr vasitəsilə formalaşır.

Bu struktur, biri çox böyük silikon interposer istehsal etmədən, interconnect sahəsinin genişlənməsinə imkan tanıyır. Ancaq RDL xətti eni, məsafəsi və vasitə ölçüləri, silikon da mövcud olanlardan ümumiyyətlə daha böyükdür, buna görə ən tələbkar interfeyslərdə eyni yönləndirmə sıxlığını təqdim edə bilmir.

CoWoS-L

CoWoS-L geniş RDL yönləndirməsini Yerli Slikon İnterconnect-ləri (LSI) ilə birləşdirir. RDL qatları daha geniş paketdə bağlantıları idarə edir, kiçik silikon bölgələri isə daha incə wiring tələb edən interfeyslərin yaxınlığında yerləşdirilir.

LSI, tam bir interposer əvəzinə lokallaşdırılmış silikon körpüsü kimi işləyir. O, yaxın çipləri qısa, incə metal izləri vasitəsilə birləşdirir. Bu, geniş bir silikon qatını tam montajın altına yerləşdirmədən sıx logic-to-HBM və ya die-to-die interfeysləri üçün faydalıdır.

RDL və LSI strukturlarının istehsal zamanı dəqiq birləşdirilməli və qoşulmalıdır. Bu, yalnız silikon interposer və ya yalnız RDL istifadə etməklə müqayisədə əlavə inteqrasiya addımları yaradır.

Seçim HBM sayı, çip yerləşdirməsi, interfeys qalınlığı, paket sahəsi, güc çatdırılması, soyutma, deformasiyalıq, qiymət və istehsal məhsuldarlığına bağlıdır.

CoWoS-S geniş bir sahədə sıx silikon yönləndirmə tələb edən dizaynlar üçün uyğun gəlir. CoWoS-R, böyük paket RDL səviyyəsində yönləndirmə sıxlığı ilə işləyə biləndə daha uyğun gəlir. CoWoS-L, paketin əksər hissəsi RDL-ə güvənə biləndə, lakin seçilmiş interfeyslərin hələ də incə silikon səviyyəli bağlantılar tələb etdiyində istifadə olunur.

CoWoS qablaşdırması necə istehsal edilir

Rəqəm 4. CoWoS istehsal prosesi

CoWoS istehsalı paket interconnect-in tikintisini, tanınmış yaxşı çiplərin seçilməsini, məntiq çiplərinin və HBM-nin yerləşdirilməsini və birləşdirilməsini, mexaniki və elektrik bağlantılarını tamamlamağı və tamamlanmış paketin test edilməsini əhatə edir. Dəqiq istehsal detalları CoWoS arxitekturasına görə dəyişir, lakin ümumi montaj ardıcıllığı oxşardır.

İstehsal mərhələsi	Nə baş verir
Interconnect istehsalı	Silikon interposer, RDL strukturu və ya RDL və LSI strukturu tələb olunan siqnal, güc və torpaq yönləndirməsi ilə istehsal olunur. Şaquli bağlantılar və daxil edilmiş strukturlar paket dizaynı tərəfindən tələb olunduğu yerlərdə də formalaşır.
Tanınmış yaxşı çip testi	Məntiq çipləri, HBM yığınları və çiplər montajdan əvvəl elektriklə test olunur. Birləşdirmədən əvvəl defektli çiplərin süzülməsi vacibdir, çünki bir uğursuz komponent tamamlanmış çox çipli paketin məhsuldarlığını azalda bilər.
Çip yerləşdirilməsi	Məntiq çipləri, HBM yığınları və digər çiplər, onların planlaşdırılan bağlantı sahələri üzərində yüksək dəqiqliklə yerləşdirilir. Qabaq yerləşdirmə, qabarıqların qalınlığı azaldıqca və çip sayı artdıqca daha tələbkar olur.
Çip birləşdirilməsi	Çiplər, mikro-qabarıqlar və ya digər incə bağlantılar vasitəsilə hazır interconnect strukturlarına birləşdirilir. Birliyin keyfiyyəti, düzgünlüyü, əlaqə müqaviməti və birləşmə bütünlük ilə diqqətlə idarə olunmalıdır.
Alt dolğu və qablaşdırma	Alt dolğu, incə birliklər ətrafında qoşulmaları dəstəkləmək və mexaniki gərginliyi azaltmaq üçün tətbiq olunur. Qablaşdırma materialları da, birləşməni qorumaq və mağaza strukturu ilə birləşdirmək üçün paket strukturuna görə istifadə oluna bilər.
Substratın qoşulması	Tamamlanmış çip və interconnect montajı, adətən C4 qabarıqları kimi daha böyük qabarıq bağlantılar vasitəsilə paket substratına qoşulur. Substrat güc, torpağı və xarici I/O-nu sistem PCB-ə daşıyır.
Mexaniki və termal tamamlama	Qatranlar, örtüklər, istilik yayma cihazları, termal interfeys materialları və digər struktural komponentlər tələb olunduqda əlavə olunur. Böyük paketdə qabarıqlıq, mexaniki gərginlik və istilik təması idarə olunmalıdır.
Son elektrik testi	Tamamlanmış paket məntiqi əməliyyat, HBM kommunikasiyası, interkonnekt davamlılığı, güc təqdimatı, xarici I/O və digər elektrik funksiyaları üçün sınaqdan keçirilir.
Etibarlılıq testi	Paketlər lehim bağlantılarını, interkonnektləri, qabarıqlığı və uzun müddətli etibarlılığı yoxlamaq üçün termal dövr etmə, temperatur testi, mexaniki gərginlik qiymətləndirməsi və digər təsdiq prosedurlarından keçə bilər.

Əsas istehsal ardıcıllığı:

Interkonnekt istehsalı → tanınmış yaxşı die testi → die yerləşdirmə → die bağlama → altında doldurma və ya şəkilləndirmə → substratın bağlı olması → mexaniki və termal bitirmə → son test.

CoWoS İstifadə Növləri və Texniki Çağırışlar

CoWoS məntiqi die-lər, HBM və çipetlər arasında yüksək interkonnekt sıxlığını təmin edir. Onun qısa, incə qoşmalar geniş məlumat yollarını və yüksək yaddaş bant genişliyini dəstəkləyir. Eyni zamanda, müxtəlif proses texnologiyaları ilə hazırlanmış hesablama, yaddaş və I/O die-lərin bir paketdə birləşdirilməsinə imkan verir.

Əsas ticarət balansı daha yüksək montaj mürəkkəbliyidir. paket ölçüsü, die sayı və HBM sayının artması ilə istehsal xərcləri, yaranma riski və istehsal çətinliyi da artır.

İstilik performansı məntiqi die-lər və HBM boyunca bağlantı temperaturu, istilik nöqtələri, termal müqavimət və temperatur yayılması vasitəsilə qiymətləndirilir. Bərabər olmayan istilik paket qabarıqlığını da artıra bilər, çünki silikon, mis, şəkilləndirici birləşmələr və substrat materialları fərqli sürətlə genişlənir.

Güc bütövlüyü PDN müqaviməti, IR düşməsi, gərginlik azalması, aşırı düşmə və enerji səsi vasitəsilə qiymətləndirilir. Bumps, vias, RDL-lər, interposer tel bağlantıları və substrat bağlantılarındakı müqavimət və induktans rels sabitliyinə təsir edə bilər. Lokal dekapling və daxili dərin çuxur kondensatorları, yəni DTC-lər, məntiqi die-yə yaxın enerji təqdim edə bilər və sürətli cərəyan dəyişiklikləri zamanı güc təqdimatının müqavimətini azalda bilər.

Siqnal bütövlüyü TSV-lərin, RDL izlərinin, mikro-bumps və paket marşrutlaşdırmasının müqaviməti, kapasitanlığı və induktansından asılıdır. Bu, daxilolma itkiləri, geri dönüş itkiləri, kross-talk, göz açılması, jitter və zaman marjı vasitəsilə qiymətləndirilir.

Etibarlılıq termal dövrlər, qabarıqlıq ölçmələri, bump gərginliyi, interkonnekt davamlılığı və nasazlıq yoxlanışı vasitəsilə qiymətləndirilir. Təkrarən istilik və soyutma mikro-bumps və C4 bağlantılarını gərginləşdirə bilər ki, bu da lehim yorğunluğu, çatlama və ya ayrışmağa səbəb ola bilər.

CoWoS İstifadələrinin və Çip Nümunələrinin İstifadəsi

CoWoS əsasən AI sürətləndiricilərdə, HPC emalçılarında, şəbəkə ASIC-lərində və HBM və ya sıx çox-die inteqrasiya tələb edən çipet əsaslı qurğularda istifadə olunur.

CoWoS-dan istifadə edən Çip və ASIC Nümunələri

• NVIDIA Hopper: NVIDIA-nın Hopper data-mərkəz GPU-ları, H100 sinfi sürətləndiricilər də daxil olmaqla, böyük GPU ilə AI və HPC iş yükü üçün HBM-i birləşdirir. 2025-ci ilin yanvarında, NVIDIA-nın CEO-su Jensen Huang Hopper istehsalının CoWoS-S-dən istifadə etdiyini təsdiqlədi.

NVIDIA Blackwell: Blackwell paket mürəkkəbliyini HBM-lə birlikdə bir neçə böyük hesablama die-i istifadə edərək artırır. Huang, NVIDIA-nın istehsalını Hopper-dən Blackwell-ə keçdikcə əsasən CoWoS-L istifadə edəcəyini bildirdi. Arxitektura geniş sahəli RDL marşrutlaşdırması ilə sıx yerli silikon interkonnektivlərini birləşdirir.

• AMD Instinct MI300: AMD-nin MI300 ailəsi, səkkiz HBM yığını ilə bir neçə hesablama və I/O çipetini birləşdirir. Paket, CoWoS ilə birlikdə şaquli çip yığılması üçün TSMC SoIC-dən istifadə edir. Bu, 3D yığılma və 2.5D paketləmənin eyni prosessorda birləşdirilə biləcəyini göstərir.

• Broadcom 5 nm Data-Mərkəz ASIC: Broadcom 625 mm² 5 nm ASIC-nin TSMC CoWoS interposer texnologiyası, HBM2E, 112 Gbps SerDes və yüksək bant genişlikli die-dən-die interfeysləri ilə fəaliyyətini elan etdi. Bu platforma data-mərkəz, AI, HPC və 5G infrastrukturu üçün hazırlanmışdır.

Bu nümunələr CoWoS-un AI GPU-lardan kənarda da istifadə olunduğunu göstərir. O, eyni zamanda HPC sürətləndiricilərini, xüsusi AI ASIC-lərini, şəbəkə qurğularını və HBM və sıx paket səviyyəli inteqrasiya tələb edən çipet əsaslı emalçıları da dəstəkləyir.

CoWoS vs Digər İrəliləyiş Paketləmə Texnologiyaları

CoWoS, məntiqi die-ləri, HBM və çipetləri birləşdirmək üçün istifadə olunan bir neçə irəliləyiş paketləmə texnologiyalarından biridir. CoWoS silikon-interposer, RDL və hibrid RDL/yerli-silikon strukturlarını dəstəkləyir. Digər paketləmə texnologiyaları yüksək sıxlıqlı die-dən-die bağlantıları təmin etmək üçün fərqli yanaşmalar istifadə edir.

CoWoS vs Intel EMIB

Intel EMIB, tam çox sayda çip yığınlarından aşağıda böyük bir interposerə etibar etmək yerinə, paket substratında yerləşdirilmiş kiçik silikon körpülərdən istifadə edir. Bu körpülər yalnız yüksək bant genişliyi əlaqəsi tələb edən çip kənarlarında incə addım bağlantıları təqdim edir.

EMIB, paket səviyyəsində yönləndirmə üçün istifadə olunan silikon miqdarını azaldaraq, loqika-loqika və loqika-HBM interfeyslərini bağlaya bilər. Intel, əlavə şaquli siqnal və enerji əlaqələri üçün toplanmış körpüyə TSV-lər əlavə edən EMIB-T-ni də təqdim edir.

Əsas fərq yönləndirmə əhatəsidir. CoWoS, daha geniş paket sahəsi boyunca yüksək sıxlıq yönləndirmə təmin edə bilər, EMIB isə müəyyən çip interfeyslərində silikon səviyyəli birləşmələrə diqqət yetirir.

CoWoS vs TSMC InFO

TSMC InFO, fan-out paket strukturu içində yüksək sıxlıqda yenidən bölüşdürmə qatları istifadə edir. InFO-oS, bir RDL strukturu üzərinə birdən çox loqika çipi və ya çipletlər yerləşdirir və daha sonra montajı paket substratına birləşdirərək, ənənəvi böyük silikon interposer olmadan çox çipli inteqrasiyaya imkan tanıyır.

CoWoS ilə müqayisədə, InFO, forma faktorunun, inteqrasiya sıxlığının və qiymət-performansın əhəmiyyətli olduğu daha geniş paket növlərində istifadə olunur. CoWoS, yüksək performanslı loqikanı bir neçə HBM yığını ilə birləşdirən böyük AI və HPC paketləri ilə daha güclü şəkildə əlaqələndirilir.

CoWoS vs Samsung Cube

Samsung-un Cube ailəsi də silikon interposerləri, RDL və yerləşdirilmiş silikon strukturları üçün müxtəlif kombinasiyalardan istifadə edir.

•2.5D Cube-S, loqika çiplərini və HBM-i silikon interposer üzərində yerləşdirir. Samsung, təsdiqlənmiş Cube-S platformasının inkişaf etmiş loqika ilə 3.3× silikon interposer və səkkiz HBM modulunu dəstəklədiyini bildirir.

•2.3D Cube-E, yerləşdirilmiş silikon körpüləri ilə birlikdə TSV-siz RDL interposer istifadə edir. RDL daha geniş paket yönləndirməsini idarə edir, silikon körpüləri isə seçilmiş interfeyslərdə incə bağlantılar təqdim edir.

•2.3D Cube-R, tam silikon interposer olmadan RDL əsaslı bir interposer istifadə edir, yenidən bölüşdürmə qatları vasitəsilə böyük çox çipli inteqrasiyaya imkan verir.

Cube və CoWoS arasındakı əsas oxşarlıq, hər iki ailənin silikon səviyyəli yönləndirmə sıxlığını daha böyük sahəli RDL inteqrasiyası ilə balanslaşdırmağın bir neçə yolunu təqdim etməsidir, baxmayaraq ki, onların paket strukturları və istehsal prosesləri fərqlidir.

CoWoS vs TSMC SoIC

SoIC əsasən 3D çip yığınlama texnologiyasıdır, CoWoS isə əsasən 2.5D paket səviyyəsində inteqrasiya təqdim edir. SoIC, çox incə çip-çip bağlama ilə çipləri şaquli olaraq birləşdirir, bəzi tətbiqlərdə bağlama addımları 10 µm-dən aşağıdır.

Buna görə, iki texnologiya bir çox dizaynda birbaşa alternativlərdən çox tamamlayıcıdır. Loqika çipləri əvvəlcə SoIC istifadə edərək şaquli yığınlana bilər və sonra HBM və ya əlavə çipletlər ilə birlikdə daha böyük CoWoS paketinə inteqrasiya edilə bilər. TSMC bu birləşməni daha geniş 3DFabric inteqrasiya platforması daxilində təqdim edir.

Ümumilikdə, bu texnologiyalar arasındakı əsas fərq, ən yüksək sıxlıqlı əlaqənin harada yerləşdirildiyidir: böyük bir interposer boyunca, lokalizasiya edilmiş silikon körpülərdə, fan-out RDL içində, və ya yığılmış çiplər arasında şaquli olaraq.

CoWoS Yol Xəritəsi: Daha Böyük Paketlər, HBM4 və Ölçeklənmə Problemləri

CoWoS yol xəritəsi daha böyük interposer sahələri, daha çox hesablama çipləri, əlavə HBM yığınları və yeni enerji təqdimat texnologiyalarını əhatə edir. Lakin, yol xəritəsi elanları təsdiqlənmiş və ya artıq kütləvi istehsala dönən texnologiyalardan ayrı tutulmalıdır. Paket ölçüsü, HBM sayı və istehsal müddəti dərc etmədən əvvəl ən son TSMC materialları ilə yoxlanmalıdır.

Yol xəritəsi Maddəsi	2026-cı ilin avqust ayı etibarilə İctimai Status
3.5-retikül CoWoS-L	2024-cü ildən etibarən kütləvi istehsalda
5.5-retikül CoWoS	TSMC 2026-cı ilin aprel ayında bu ölçüdə istehsal etdiyini bildirdi. Əvvəlki illik hesabat materialında 2026-cı ildə 5.5-retikül CoWoS-L-ın təsdiqlənməsi və istehsal artımı təsvir edilmişdir
9.5-retikül CoWoS	12 və daha çox HBM yığınları ilə 2027-ci il üçün kütləvi istehsal planı elan edildi
14-retikül CoWoS	Təxminən 10 böyük hesablama çipi və 20 HBM yığının birləşdirilməsi kimi 2028-ci il üçün yol xəritəsi hədəfi elan edildi
14 retiküllərdən sonrakı	2029-cu il üçün uzunmüddətli genişlənmə hədəfi

Daha böyük CoWoS Paket Sahələri

TSMC, 3.5-retikül CoWoS-L-in 2024-cü ildən kütləvi istehsalda olduğunu bildirdi. 2026-cı ilin aprelində şirkət 5.5-retikül ölçülü CoWoS istehsal etdiyini və daha böyük versiyalar planlaşdırdığını açıqladı. TSMC-nin əvvəlki 2025 İl Hesabatı 2026-cı ildə 5.5-retikül CoWoS-L-ın təsdiqlənməsini tamamladığını təsvir etmişdir, başqa bir hissədə isə sertifikatın tamamlandığı və kütləvi istehsala başlayacağı bildirilmişdir. Bu ifadələr fərqli platforma, təsdiqləmə və ya müştəri məhsulu mərhələlərinə istinad edə bilər, buna görə orijinal sözlərin qorunması daha yaxşıdır, universala hazır olmaq əvəzinə.

TSMC 2025-ci ildə 9.5-retik CoWoS-u 2027-ci ildən kütləvi istehsala gətirməyi planlaşdırdığını açıqladı, 12 və ya daha çox HBM dəstini idarə etmək gücünə malikdir. 2026-cı il aprelin simpozium materialları 14-retik xəritəsi hədəfini əlavə etdi, təxminən 10 böyük hesablama die və 20 HBM dəstini birləşdirdiyi təsvir olunmuşdur, istehsal 2028-ci il üçün planlanmışdır və 14 retikdən artıq genişləndirmənin müzakirəsi 2029-cu il üçün aparılmışdır. 9.5-retik və 14-retik konfiqurasiyaları hələ də elan olunmuş planlar və ya xəritə hədəfləridir, təsdiq olunmuş cari istehsalat deyildir.

HBM4 və Logika Bazası Deyləri

HBM4 yaddaş dəstindən daha çoxunu dəyişdirir. Onun logika bazası die interfeys, idarəetmə və siqnal funksiyalarını idarə edə bilir ki, bu da yaddaş texnologiyasını, baz die prosesini, interposer yönləndirməsini və hesablama die-ləri daha sıx birləşdirir.

TSMC HBM4 üçün N12 və N3 logika bazası die həllərini ictimaiyyətə təqdim edib. Sonrakı texniki müzakirədə HBM4 dizaynları üçün N12 və xüsusi HBM4E dizaynları üçün N3P-ni təsvir etmişdir. Bu bəyanatlar TSMC-nin nəzərdə tutulan texnologiya dəstəyini nümayiş etdirir, ancaq hər bir HBM4 və CoWoS birləşməsinin müştəri təsdiqini tamamlayıb istehsala keçdiyini təsdiqləmir.

Güc Təminatı və Soyutma Məhdudiyyətləri

Artan paket sahəsi daha çox lojiq və yaddaşın birləşdirilməsinə imkan tanıyır, lakin bu həm də cari tələbi, müvəqqəti yükü, istilik sıxlığını və enerji paylanması çətinliklərini artırır. TSMC güc təmini və istilik yayılmasını davamlı AI miqyasları üçün əsas məhdudiyyətlər olaraq müəyyən edib.

Şirkət yerli yük təqdimatı və güc paylanması impedansını azaltmaq üçün inteqrasiya olunmuş dərin çuxur kapasitörləri, yüksək sıxlıqlı MIM kapasitörləri və inteqrasiya olunmuş gərginlik tənzimləyicilərini təqdim edib. TSMC, 2 kW-a qədər istilik dizayn gücünə malik paketlər üçün yaxşılaşdırılmış istilik interfeysi materialları və maye soyutma nümayişləri istifadə edən CoWoS araşdırmasını da yayımlayıb. Bunlar dərc olunmuş texnologiyalar və nümayişlərdir, hər bir kommersiya CoWoS paketi üçün zəmanət verilmiş spesifikasiyalar deyildir.

Verim, Substrat və HBM Təchizatı Məhdudiyyətləri

Daha böyük CoWoS paketi verim və etibarlılıq tələblərini birgə qarşılamalı olan lojiq die-ləri, HBM dəstlərini, interposer və ya RDL strukturlarını, yerli silisium interkonnektləri, paket substratını, bump-ları, underfill və montaj proseslərini tələb edir. Paket sahəsinin artması həmçinin idarə olunması lazımdır olan interfeys və istehsal addımlarının sayını artırır.

TSMC 2026-cı il iyul ayının gəlir çağrısında arxa plan gücünün azlıq vəziyyətində qaldığını söylədi. Şirkət həm də alternatif paketləşdirmə yanaşmalarını inkişaf etdirərkən substrat təchizatçıları ilə əməkdaşlıq edəcəyini müzakirə etdi. Bu, istehsal miqyasının yalnız CoWoS montaj gücündən deyil, tam təchizat zəncirindən asılı olduğunu göstərir.

HBM təchizatı və məhsul təsdiqi əlavə məhdudiyyətlər yarada bilər, çünki hər bir sürətləndirici dizayn uyğun yaddaş dəstlərini, lojiq bazası die-ləri, yönləndirmə, güc təchizatı və istilik məhdudiyyətlərini tələb edir. İctimai HBM sayı hədəfi buna görə də potensial paket inteqrasiyasını təsvir edir, zəmanət verilmiş məhsul mövcudluğunu deyil.

CoWoS xəritə irəliləyişinin müvəffəqiyyəti son nəticədə uğurlu texnologiya və müştəri təsdiqi, istehsal verimi, substratın mövcudluğu, HBM təchizatı, güc təchizatı, soyutma, deformasiyanın idarə edilməsi və uzunmüddətli etibarlılıqdan asılıdır, yalnız paket ölçüsündən yox.